沉積

製造晶片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導體、絕緣體或半導體。

光刻膠塗覆

進行光刻前，首先要在晶圓上塗覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然後將晶圓放入光刻機。

曝光

在掩模版上製作需要印刷的圖案藍圖。晶圓放入光刻機後，光束會通過掩模版投射到晶圓上。光刻機內的光學元件將圖案縮小並聚焦到光刻膠塗層上。在光束的照射下，光刻膠發生化學反應，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠塗層。

計算光刻

光刻期間產生的物理、化學效應可能造成圖案形變，因此需要事先對掩模版上的圖案進行調整，確保最終光刻圖案的準確。現有光刻資料及圓晶測試資料整合，製作演算法模型，精確調整圖案。

烘烤與顯影

晶圓離開光刻機後，要進行烘烤及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多餘光刻膠，部分塗層留出空白部分。